¿Qué es GaN y por qué me puede interesar?
El nitruro de galio, o GaN, es un material que se está empezando a utilizar en los semiconductores de los cargadores. A principios de los 90, se utilizaba frecuentemente en la fabricación de luces LED y componentes de RF, igualmente, es un material popular para las baterías de células solares de los satélites.
El gran diferenciador del GaN en lo que respecta a los cargadores de dispositivos, es que produce menos calor y ofrece una carga rápida con un menor riesgo de calentamiento del equipo, la carga del dispositivo es más eficiente con un menor grado de pérdida de energía en el proceso. El tamaño del cargador es considerablemente menor, esto quiere decir que es posible agrupar más los componentes del cargador para reducir su tamaño, sin que esto afecte negativamente a su capacidad de carga o al cumplimiento de los estándares de seguridad.
¿Cómo funciona realmente un cargador?
Todos los modelos de smartphone, tableta y portátil que usamos tienen baterías, cuando una batería transfiere electricidad a nuestros dispositivos, lo que de verdad ocurre es una reacción química; un cargador de dispositivos usa una corriente eléctrica para revertir dicha reacción química.
Los primeros cargadores enviaban corriente a la batería de forma continua, lo que aumentaba el riesgo de sobrecargas y daños al dispositivo, los más modernos incluyen sistemas de monitorización que reducen el suministro de corriente al tiempo que la batería se llena, esto minimiza los riesgos de sobrecargas.
Nitruro de Galio (GaN), reemplaza al silicio
Desde los años 80 el silicio ha sido el material principal en la fabricación de los transistores. Con el paso de los años el avance tecnológico se fue traduciendo en el alto rendimiento al que estamos acostumbrado hoy, en la actualidad hemos aprovechado casi al máximo el silicio y es muy posible que los transistores fabricados con este material hayan llegado a su límite.
Son las propiedades mismas del material de silicio en lo relativo al calor y la transferencia de electricidad las que imposibilitan reducir más el tamaño de los componentes El Nitruro de Galio (GaN) es diferente, es un material similar al cristal que es capaz de conducir voltajes mucho más altos, la corriente eléctrica puede transferirse a más velocidad por componentes fabricados con GaN que por los de silicio, esto también permite un procesamiento más rápido, eficiente y produce menos calor.
La razón por la que GaN es el futuro en la carga de dispositivosLa mayoría de los usuarios tienen múltiples dispositivos electrónicos que necesitan cargar regularmente. Los cargadores con tecnología GaN ofrecen a estos una relación calidad-precio superior, tanto ahora como en el futuro.
Debido a que su diseño general es más compacto, la mayoría de los cargadores GaN incorporan USB-C PD (Power Delivery) y QC (Quick Charge), estos estándares ofrecen carga rápida para los dispositivos compatibles. La mayoría de smartphone actuales, son compatibles con algún tipo de carga rápida y en el futuro este número sólo aumentará.
Cargadores rápidos UGREEN® GaN: compactos, potentes y multipuerto
Así como sus dispositivos electrónicos evolucionan, sus cargadores también lo hacen. Desde que Apple y muchos fabricantes ha dejado de proporcionar cargadores estándar para teléfonos móviles, los usuarios deben comprar los cargadores por su propia cuenta cuando adquieren un nuevo teléfono móvil.
El mercado mundial de carga rápida ha entrado así en una nueva etapa de rápida desarrollo, siendo esta una palabra clave e indispensable en los parámetros de los teléfonos móviles en los últimos años, además de una velocidad de funcionamiento rápida, también se requiere una velocidad de carga rápida.
Junto con el creciente número de dispositivos digitales UGREEN®, ha lanzado una gran variedad de cargadores GaN multipuerto de 20, 30, 45, 65, 100,140 y 200 W, gracias a esta tecnología, aunque el cargador multipuerto tiene muchas interfaces y alta potencia, también es relativamente compacto y fácil de transportar.
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Ing. Hermán Allende
Product Manager | SYSCOM®
Mail: hallende@syscom.mx
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